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DCA55

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SEMICONDUCTOR COMPONENT ANALYZER
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SEMICONDUCTOR COMPONENT ANALYZER

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Features
  • automatic component type identification
  • automatic pinout identification
  • special feature identification such as protection diodes and resistor shunts
  • bipolar transistors: gain and leakage current measurements, silicon and germanium detection
  • gate threshold measurement for Enhancement Mode MOSFETs
  • semiconductor forward voltage measurement for diodes, LEDs and transistor Base-Emitter junctions
  • automatic and manual power-off
  • identification automatique des composants
  • identification automatique des broches de connexion
  • identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
  • transistors bipolaires : mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
  • mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
  • mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
  • extinction automatique et manuelle
  • identificación automática de componentes
  • identificación automática de la configuración de los pines
  • Identificación de características especiales de los componentes, tales como protección de diodos o puentes de resistencias en transistores
  • transistores bipolares: medición de ganancia y corriente de fuga, detección de silicio y germanio
  • medición de la tensión umbral en la puerta para Enhacement Mode MOSFETs
  • medición de caídas de tensión en semiconductores para diodos, LEDs y transistores (Base-Emitter)
  • desactivación automática y manual
Specifications
  • Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
  • peak test current into short circuit: -5.5 mA to 5.5 mA
  • peak test voltage across open circuit: -5.1 V to 5.1 V
  • transistor:
  • gain range (Hfe): 4 - 65 000
  • gain accuracy: ± 3% ± 5 Hfe
  • Vceo test voltage: 2.0 V - 3.0 V
  • Vbe accuracy: -2% -20 mV to +2% + 20 mV
  • VBE for Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
  • base-emitter shunt threshold: 50 kΩ - 70 kΩ
  • BJT collector test current: 2.45 mA - 2.55 mA
  • BJT acceptable leakage: 0.7 mA
  • MOSFET:
  • gate threshold range: 0.1 V - 5.0 V
  • threshold accuracy: -2% -20 mV to +2% +20 mV
  • drain test current: 2.45 mA - 255 mA
  • gate resistance: 8 kΩ
  • depletion drain test current: 4.5 mA
  • JFET drain-source test current: 0.5 mA - 5.5 mA
  • SCR/Triac:
  • gate test current: 4.5 mA
  • load test current: 5.0 mA
  • diode:
  • test current: 5.0 mA
  • voltage accuracy: -2% -20 mV to +2% +20 mV
  • Vf for LED identification: 1.50 V - 4.00 V
  • short circuit threshold: 10 Ω
  • battery:
  • type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline
  • voltage range: 7.50 V - 12 V
  • warning threshold: 8.25 V
  • dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
  • Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
  • Operating temperature range: 0°C~50°C (32F ~ 122F)
  • Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
  • courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA
  • corriente de pico de pruebas en cortocircuito (Isc): de -5.5 mA a 5.5 mA
  • tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V
  • tensión de pico de pruebas en circuito abierto (Voc): de -5.1 V a 5.1 V
  • transistor:
  • transistor:
  • plage de gain (HFE): 4 - 65 000
  • rango de ganancia (Hfe): 4 - 65 000
  • précision de gain: ± 3% ± 5 Hfe
  • precisión de ganancia: ± 3% ± 5 Hfe
  • tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V
  • tensión de prueba Vceo: 2.0 V - 3.0 V
  • précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
  • precisión Vbe: de -2% -20 mV a +2% + 20 mV
  • tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
  • VBE para Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
  • seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 kΩ - 70 kΩ
  • umbral shunt base-emitter : 50 kΩ - 70 kΩ
  • courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
  • corriente de prueba colector BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
  • courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA
  • corriente de fuga BJT aceptable: 0.7 mA
  • MOSFET:
  • MOSFET:
  • plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V
  • rango 'gate threshold': 0.1 V - 5.0 V
  • précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
  • presisión de umbral: de -2% -20 mV a +2% + 20 mV
  • courant drain: 2.45 mA - 255 mA
  • corriente de prueba 'drain': 2.45 mA - 255 mA
  • résistance de grille: 8 kΩ
  • resistencia 'gate': 8 kΩ
  • courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA
  • corriente de prueba 'depletion drain': 4.5 mA
  • courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
  • corriente de prueba drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
  • thyristor/Triac:
  • Tiristor/Triac:
  • courant de grille: 4.5 mA
  • corriente de prueba 'gate': 4.5 mA
  • courant de maintien: 5.0 mA
  • corriente de prueba 'load': 5.0 mA
  • diode:
  • diodo:
  • courant de test: 5.0 mA
  • corriente de prueba: 5.0 mA
  • précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
  • presición de tensión: de -2% -20 mV a +2% + 20 mV
  • tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V
  • Vf para la identificación de LEDs: 1.50 V - 4.00 V
  • seuil de court-circuit: 10 Ω
  • short circuit threshold (umbral cortocircuito): 10 Ω
  • batterie:
  • batería:
  • type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline
  • tipo: batería alcalina MN21 / L1028 / GP23A 12 V
  • plage de tension: 7.50 V - 12 V
  • rango de tensión: 7.50 V - 12 V
  • seuil d'alarme: 8.25 V
  • indicación de batería baja: < 8.5 V
  • dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
  • dimensiones: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
  • Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
  • température de travail: 0°C~50°C (32F ~ 122F)
  • temperatura de funcionamiento: 0°C~50°C (32F ~ 122F)

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